Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STD2HNK60Z, STMicroelectronics

OBS Позиция снята с производства

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 2 А
Rси(вкл) 4.8 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 30 В


STD2HNK60Z, STMicroelectronics

Параметры STD2HNK60Z

Наименование STD2HNK60Z
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 349357
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги STD2HNK60Z, доступные на складе

  • Изображение  STD3NK60Z-1

    STD3NK60Z-1
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 2.4 А; Rси(вкл): 3.6 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 11.8 нКл

Изображения STD2HNK60Z

STD2HNK60Z, STMicroelectronics STD2HNK60Z, STMicroelectronics STD2HNK60Z, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
20,20 руб
от 171 шт. 17,30 руб
от 372 шт. 15,90 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом