Терраэлектроника

STD2HNK60Z, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 2 А
Rси(вкл) 4.8 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 30 В


STD2HNK60Z, ST Microelectronics

Параметры STD2HNK60Z

НаименованиеSTD2HNK60Z
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул349357
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги STD2HNK60Z, доступные на складе

  • Изображение  STD3NK60Z-1

    STD3NK60Z-1
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 2.4 А; Rси(вкл): 3.6 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 11.8 нКл

Изображения STD2HNK60Z

STD2HNK60Z, ST Microelectronics STD2HNK60Z, ST Microelectronics STD2HNK60Z, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
21,00 руб
от 69 шт. 18,50 руб
от 200 шт. 15,50 руб
от 435 шт. 14,50 руб
Наличие на складе
1607 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом