Терраэлектроника

SI7414DN-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds60V
Continuous Drain Current, Id5.6A
On Resistance, Rds(on)0.036ohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/Case8-1212


Параметры SI7414DN-T1-E3

НаименованиеSI7414DN-T1-E3
ПроизводительVishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул348764
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом