Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI7414DN-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds60V
Continuous Drain Current, Id5.6A
On Resistance, Rds(on)0.036ohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/Case8-1212


Параметры SI7414DN-T1-E3

Наименование SI7414DN-T1-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 348764
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом