Терраэлектроника

ESDA25B1, STMicroelectronics

LS: полупроводн.


Параметры ESDA25B1

НаименованиеESDA25B1
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул348501
Серия
Тип
Обратное напряжение Vrwm
Корпус
Кол-во выводов
Напряжение пробоя Мин
Напряжение пробоя Макс
Пиковое рассеяние мощности

Аналоги ESDA25B1, доступные на складе

  • Изображение  MMBZ5V6ALT1G

    MMBZ5V6ALT1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    DIODE, ZENER, 5.6V, 0.225W; Voltage, Vz:5.6V; Current, Test:20mA; Power Dissipation, Max:225mW; Termination Type:SMD; Case Style:SOT-23; Pins, No. of:3; Power, Ptot:0.225W

  • Изображение  ESDA25B1RL

    ESDA25B1RL
    ST

    Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 6; Uпорог: 25 В; Iутеч: 2 мкА; Cпараз: 15 нФ; Примечание: TRANSIL ARRAY FOR ESD PROTECTION; Траб: -40...125 °C

  • Изображение  MMBZ5V6ALT1

    MMBZ5V6ALT1
    ONS

    TVS Diode Package/Case:SOT-23; Leaded Pr

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом