Терраэлектроника

STGW35NB60SD, ST Microelectronics

IGBT транзистор -

Uкэ.макс 600 В
Iк@25°C 35 А
Uкэ.нас 1.2 В
Диод tвосст 88 нс
Диод Uпад 1 В


STGW35NB60SD, ST Microelectronics

Параметры STGW35NB60SD

НаименованиеSTGW35NB60SD
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул347619
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Изображения STGW35NB60SD

STGW35NB60SD, ST Microelectronics STGW35NB60SD, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
362,00 руб
от 4 шт. 316,50 руб
от 12 шт. 271,50 руб
от 30 шт. 249,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом