Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BD676G, On Semiconductor

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный


BD676G, On Semiconductor

Параметры BD676G

Наименование BD676G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 347109
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Сопутствующие товары для BD676G

  • Изображение  BD675G

    BD675G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом