Терраэлектроника

BD676G, On Semiconductor

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный


BD676G, On Semiconductor

Параметры BD676G

НаименованиеBD676G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул347109
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Сопутствующие товары для BD676G

  • Изображение  BD675G

    BD675G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом