Терраэлектроника

FDP3651U, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.018ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4.5V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ4152pF
Case Style, AlternateSOT-78B
Current, Idm Pulse320A
Pin ConfigurationG(1),D(2)S(3)
Power, Pd255W
Resistance, Rds on Max0.018ohm
Resistance, Rds on Typ.0.015ohm
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.59°C/W
Voltage, Rds Measurement10V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max5.5V
Voltage, Vgs th Min3.5V


Параметры FDP3651U

НаименованиеFDP3651U
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул345322
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги FDP3651U, доступные на складе

  • Изображение  STP80NF12

    STP80NF12
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 120 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 18 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 140 нКл

  • Изображение  STP60NF10

    STP60NF10
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом