Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FQP33N10, Fairchild Semiconductor Corp.

100V N-Channel MOSFET


FQP33N10, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FQP33N10

НаименованиеFQP33N10
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул344823
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги FQP33N10, доступные на складе

  • Изображение  STP30NF10

    STP30NF10
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 30 А; Rси(вкл): 52 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 40 нКл

  • Изображение  STP24NF10

    STP24NF10
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 26 А; Rси(вкл): 60 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл

Изображения FQP33N10

FQP33N10, Fairchild Semiconductor Corp. FQP33N10, Fairchild Semiconductor Corp. FQP33N10, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
116,00 руб
от 12 шт. 102,00 руб
от 34 шт. 86,50 руб
от 73 шт. 79,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом