Терраэлектроника

STP65NF06, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 60 В
Iс(25°C) 60 А
Rси(вкл) 14 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 54 нКл


STP65NF06, ST Microelectronics

Параметры STP65NF06

НаименованиеSTP65NF06
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул344030
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги STP65NF06, доступные на складе

  • Изображение  IRFB7534PBF

    IRFB7534PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    StrongIRFET 60V

  • Изображение  IRFB7537PBF

    IRFB7537PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

  • Изображение  IRF1010E

    IRF1010E
    INFIN

    MOSFET, N TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB7540PBF

    IRFB7540PBF
    INFIN

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

  • Изображение  IRFZ44Z

    IRFZ44Z
    INFIN

    MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP

  • Изображение  IRFB7546PBF

    IRFB7546PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

Показать все сопутствующие товары

Изображения STP65NF06

STP65NF06, ST Microelectronics STP65NF06, ST Microelectronics STP65NF06, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
36,50 руб
от 40 шт. 32,00 руб
от 100 шт. 27,50 руб
от 250 шт. 25,00 руб
Наличие на складе
1084 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом