Терраэлектроника

STGW30N120KD, ST Microelectronics

IGBT транзистор -

Uкэ.макс 1.2 кВ
Iк@25°C 30 А
Uкэ.нас 2.8 В
Диод tвосст 84 нс
Диод Uпад 1.7 В


STGW30N120KD, ST Microelectronics

Параметры STGW30N120KD

НаименованиеSTGW30N120KD
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул343716
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Изображения STGW30N120KD

STGW30N120KD, ST Microelectronics STGW30N120KD, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
232,00 руб
от 7 шт. 203,00 руб
от 18 шт. 174,00 руб
от 39 шт. 160,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом