Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IPP60R299CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Технические характеристики:

  • Product Category: MOSFET
  • RoHS: RoHS Compliant Details
  • Technology: Si
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package/Case: TO-220-3
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Transistor Polarity: N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
  • Id - Continuous Drain Current: 11 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance: 299 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
  • Maximum Operating Temperature: + 150 C
  • Packaging: Tube
  • Channel Mode: Enhancement
  • Configuration: Single
  • Fall Time: 5 ns
  • Height: 9.25 mm
  • Length: 10 mm
  • Minimum Operating Temperature: - 55 C
  • Pd - Power Dissipation: 96 W
  • Rise Time: 5 ns
  • Series: CoolMOS CP
  • Factory Pack Quantity: 500
  • Tradename: CoolMOS
  • Transistor Type: 1 N-Channel
  • Typical Turn-Off Delay Time: 40 ns
  • Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
  • Width: 4.4 mm
  • Unit Weight: 6 g

IPP60R299CP


IPP60R299CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPP60R299CP

НаименованиеIPP60R299CP
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул342666
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги IPP60R299CP, доступные на складе

  • Изображение  STP18NM60N

    STP18NM60N
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 35 А; Rси(вкл): 0.285 Ом; @Uзатв(ном): 10 В

Изображения IPP60R299CP

IPP60R299CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPP60R299CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPP60R299CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
72,50 руб
Наличие на складе
59 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом