Терраэлектроника

BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS

Симистор: 800 В, 25 А


BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS

Параметры BTA225-800B.127

НаименованиеBTA225-800B.127
ПроизводительNXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул34152
Ток управления
Ток коммутации номинальный
Макс. рабочее напряжение
Тип управляемого диода
Корпус

Аналоги BTA225-800B.127, доступные на складе

  • Изображение  BTA225-800B.127

    BTA225-800B.127
    WEEN/NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  MAC16NG

    MAC16NG
    ONS

    Thyristor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:800V; Gate Trigger Current Max (QI), Igt:50mA; On State RMS Current, IT(rms):16A; Leaded Process Compatible:Yes; Package/Case:3-TO-220AB; Peak Non Rep Surge Current, Itsm 60Hz:150A

Изображения BTA225-800B.127

BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
73,00 руб
от 20 шт. 64,00 руб
от 50 шт. 54,50 руб
от 150 шт. 50,00 руб
Наличие на складе
1 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом