Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS

OBS Позиция снята с производства

Симистор: 800 В, 25 А


BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS

Параметры BTA225-800B.127

Наименование BTA225-800B.127
Производитель NXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул 34152
Напряжение Vbo Макс
Тип тиристора
Ток управления
Ток коммутации номинальный
Макс. рабочее напряжение
Тип управляемого диода
Корпус

Аналоги BTA225-800B.127, доступные на складе

  • Изображение  BTA225-800B.127

    BTA225-800B.127
    WEEN/NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  MAC16NG

    MAC16NG
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Thyristor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:800V; Gate Trigger Current Max (QI), Igt:50mA; On State RMS Current, IT(rms):16A; Leaded Process Compatible:Yes; Package/Case:3-TO-220AB; Peak Non Rep Surge Current, Itsm 60Hz:150A

Изображения BTA225-800B.127

BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом