Терраэлектроника

BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS

Симистор: 800 В, 25 А


BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS

Параметры BTA225-800B.127

НаименованиеBTA225-800B.127
ПроизводительNXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул34152
Ток управления
Ток коммутации номинальный
Макс. рабочее напряжение
Тип управляемого диода
Корпус

Аналоги BTA225-800B.127, доступные на складе

  • Изображение  MAC16NG

    MAC16NG
    ONS

    Thyristor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:800V; Gate Trigger Current Max (QI), Igt:50mA; On State RMS Current, IT(rms):16A; Leaded Process Compatible:Yes; Package/Case:3-TO-220AB; Peak Non Rep Surge Current, Itsm 60Hz:150A

  • Изображение  BTA225-800B.127

    BTA225-800B.127
    WEEN/NXP

    Склад (1-2 дн)

Изображения BTA225-800B.127

BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS BTA225-800B.127, NXP SEMICONDUCTORS
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
68,00 руб
от 20 шт. 59,50 руб
от 50 шт. 51,00 руб
от 150 шт. 47,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом