Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP80NF12, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 120 В
Iс(25°C) 80 А
Rси(вкл) 18 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 140 нКл


STP80NF12, STMicroelectronics

Параметры STP80NF12

Наименование STP80NF12
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 341423
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Тмакс,°C

Аналоги STP80NF12, доступные на складе

  • Изображение  IPP320N20N3GXKSA1

    IPP320N20N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, Infineon's 200V OptiMOS™ products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous recti…

  • Изображение  IRF3710Z

    IRF3710Z
    INFIN

    MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; D

  • Изображение  IPP200N15N3GXKSA1

    IPP200N15N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

Изображения STP80NF12

STP80NF12, STMicroelectronics STP80NF12, STMicroelectronics STP80NF12, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
84,50 руб
от 41 шт. 72,50 руб
от 100 шт. 66,50 руб
Наличие на складе
287 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом