Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP80NF12, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 120 В
Iс(25°C) 80 А
Rси(вкл) 18 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 140 нКл


STP80NF12, STMicroelectronics

Параметры STP80NF12

НаименованиеSTP80NF12
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул341423
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги STP80NF12, доступные на складе

  • Изображение  IPP200N15N3GXKSA1

    IPP200N15N3GXKSA1
    INFIN

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

  • Изображение  IRF3710Z

    IRF3710Z
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; D

  • Изображение  IPP320N20N3GXKSA1

    IPP320N20N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, Infineon's 200V OptiMOS™ products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous recti…

Изображения STP80NF12

STP80NF12, STMicroelectronics STP80NF12, STMicroelectronics STP80NF12, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
119,00 руб
от 12 шт. 105,00 руб
от 33 шт. 89,00 руб
от 72 шт. 82,00 руб
Наличие на складе
314 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом