Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SPW11N60C3, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 600V, TO-247

Transistor TypeEnhancement
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ650V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.38ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-247
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse33A
Power, Pd125W
Voltage, Vds600V
Voltage, Vds Max600V


Параметры SPW11N60C3

Наименование SPW11N60C3
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 337786
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Рассеиваемая мощность

Аналоги SPW11N60C3, доступные на складе

  • Изображение  STW16NK60Z

    STW16NK60Z
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0.42 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 86 нКл

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
230,00 руб
от 7 шт. 202,00 руб
от 18 шт. 173,00 руб
от 39 шт. 159,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом