Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FQU11P06, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, P, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-60V
Current, Id Cont9.4A
Resistance, Rds On0.185ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateI-PAK
Current, Idm Pulse37.6A
Depth, External16.10mm
Length / Height, External2.3mm
Marking, SMDFQU11P06
Power Dissipation38W
Power, Pd38W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall45ns
Time, Rise40ns
Time, t Off45ns
Time, t On40ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max60V
Width, External6.6mm


FQU11P06, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FQU11P06

Наименование FQU11P06
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 337592
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

Аналоги FQU11P06, доступные на складе

Изображения FQU11P06

FQU11P06, Fairchild Semiconductor Corp. FQU11P06, Fairchild Semiconductor Corp. FQU11P06, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
43,70 руб
от 79 шт. 37,50 руб
от 172 шт. 34,40 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом