Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IXTK120N25P, Ixys Corporation

MOSFET, N, TO-264

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont120A
Resistance, Rds On0.024ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-264
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ8000pF
Charge, Gate N-channel185nC
Pins, No. of3
Power, Pd700W
Thermal Resistance, Junction to Case A0.18°C/W
Voltage, Vds Max250V
Time, trr Max200ns


Параметры IXTK120N25P

НаименованиеIXTK120N25P
ПроизводительIxys Corporation (IXYS)
Артикул336216
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
961,00 руб
от 2 шт. 841,00 руб
от 5 шт. 721,00 руб
от 9 шт. 662,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом