Терраэлектроника

BTA12-800BW3G, On Semiconductor

Triac, 3 Quadrant Internally Isolated, 50 mA IGT, 12 A IT(RMS), 800 V


BTA12-800BW3G, On Semiconductor

Параметры BTA12-800BW3G

НаименованиеBTA12-800BW3G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул335700
Корпус
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Ток коммутации номинальный
Отпирающий ток Макс (QI), Igt
Напряжение открытия Макс Vgt
Пиковая мощность Gate
Ток удержания Макс Ih
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц

Аналоги BTA12-800BW3G, доступные на складе

  • Изображение  BTA12-800BWRG

    BTA12-800BWRG
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 800 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 50 мА; Iуэ(выкл): 0 А

Изображения BTA12-800BW3G

BTA12-800BW3G, On Semiconductor BTA12-800BW3G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
58,00 руб
от 24 шт. 51,00 руб
от 68 шт. 43,60 руб
от 150 шт. 40,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом