Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BTA12-800BW3G, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

Triac, 3 Quadrant Internally Isolated, 50 mA IGT, 12 A IT(RMS), 800 V


BTA12-800BW3G, On Semiconductor

Параметры BTA12-800BW3G

Наименование BTA12-800BW3G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 335700
Пиковая мощность
Отпирающий ток Макс (QI), Igt
Тип тиристора
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Корпус
Тип управляемого диода
Макс. рабочее напряжение
Ток коммутации номинальный
Ток управления
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц
Ток удержания Макс Ih
Напряжение открытия Макс Vgt

Аналоги BTA12-800BW3G, доступные на складе

  • Изображение  BTA12-800BWRG

    BTA12-800BWRG
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 800 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 50 мА; Iуэ(выкл): 0 А

Изображения BTA12-800BW3G

BTA12-800BW3G, On Semiconductor BTA12-800BW3G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
59,50 руб
от 24 шт. 52,00 руб
от 68 шт. 44,70 руб
от 150 шт. 41,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом