Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BTA12-800BW3G, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

Triac, 3 Quadrant Internally Isolated, 50 mA IGT, 12 A IT(RMS), 800 V


BTA12-800BW3G, On Semiconductor

Параметры BTA12-800BW3G

Наименование BTA12-800BW3G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 335700
Пиковая мощность
Отпирающий ток Макс (QI), Igt
Тип тиристора
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Корпус
Тип управляемого диода
Макс. рабочее напряжение
Ток коммутации номинальный
Ток управления
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц
Ток удержания Макс Ih
Напряжение открытия Макс Vgt
Максимальная рабочая температура

Аналоги BTA12-800BW3G, доступные на складе

  • Изображение  BTA12-800BWRG

    BTA12-800BWRG
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 800 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 50 мА; Iуэ(выкл): 0 А

Изображения BTA12-800BW3G

BTA12-800BW3G, On Semiconductor BTA12-800BW3G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
51,00 руб
от 68 шт. 43,70 руб
от 150 шт. 40,10 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом