Терраэлектроника

BTA12-600CW3G, On Semiconductor

Triac, 3 Quadrant Internally Isolated, 35 mA IGT, 12 A IT(RMS), 600 V


BTA12-600CW3G, On Semiconductor

Параметры BTA12-600CW3G

НаименованиеBTA12-600CW3G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул335695
Корпус
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Ток коммутации номинальный
Отпирающий ток Макс (QI), Igt
Напряжение открытия Макс Vgt
Пиковая мощность Gate
Ток удержания Макс Ih
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц

Аналоги BTA12-600CW3G, доступные на складе

  • Изображение  BT138-600.127

    BT138-600.127
    NXP

    Симистор: 600 В, 12 А

  • Изображение  BTA12-600CWRG

    BTA12-600CWRG
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 35 мА; Iуэ(выкл): 0 А

  • Изображение  BTB12-600CWRG

    BTB12-600CWRG
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 35 мА; Iуэ(выкл): 0 А

Изображения BTA12-600CW3G

BTA12-600CW3G, On Semiconductor BTA12-600CW3G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
18,00 руб
Наличие на складе
11 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом