Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BTA12-600CW3G, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

Triac, 3 Quadrant Internally Isolated, 35 mA IGT, 12 A IT(RMS), 600 V


BTA12-600CW3G, On Semiconductor

Параметры BTA12-600CW3G

Наименование BTA12-600CW3G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 335695
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц
Ток удержания Макс Ih
Напряжение открытия Макс Vgt
Пиковая мощность
Отпирающий ток Макс (QI), Igt
Тип тиристора
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Корпус
Тип управляемого диода
Макс. рабочее напряжение
Ток коммутации номинальный
Ток управления
Максимальная рабочая температура

Аналоги BTA12-600CW3G, доступные на складе

  • Изображение  BTA12-600CWRG

    BTA12-600CWRG
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 35 мА; Iуэ(выкл): 0 А

  • Изображение  BTB12-600CWRG

    BTB12-600CWRG
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 12 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 35 мА; Iуэ(выкл): 0 А

Изображения BTA12-600CW3G

BTA12-600CW3G, On Semiconductor BTA12-600CW3G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
42,70 руб
от 81 шт. 36,60 руб
от 200 шт. 33,60 руб
Наличие на складе
1 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом