Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BTA08-600BW3G, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

8.0 A, 50 mA IGT 3 Quadrant Internally Isolated Triac, 600 V


BTA08-600BW3G, On Semiconductor

Параметры BTA08-600BW3G

Наименование BTA08-600BW3G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 335693
Тип управляемого диода
Макс. рабочее напряжение
Ток коммутации номинальный
Ток управления
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц
Ток удержания Макс Ih
Напряжение открытия Макс Vgt
Пиковая мощность
Отпирающий ток Макс (QI), Igt
Тип тиристора
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Корпус
Максимальная рабочая температура

Аналоги BTA08-600BW3G, доступные на складе

  • Изображение  BTA08-600BRG

    BTA08-600BRG
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 8 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 50 мА; Iуэ(выкл): 0 А

  • Изображение  BTA08-600BWRG

    BTA08-600BWRG
    ST

    Тиристор - [TO-220-3]; Тип: Симистор; Uмакс: 600 В; Iкомм: 8 А; Uудерж: 1.55 В; Iуэ(вкл): 50 мА; Iуэ(выкл): 0 А

Изображения BTA08-600BW3G

BTA08-600BW3G, On Semiconductor BTA08-600BW3G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
44,40 руб
от 78 шт. 38,00 руб
от 150 шт. 34,90 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом