Терраэлектроника

MMUN2211LT3G, On Semiconductor

Транзистор со встроенным резистором смещения, биполярный (BRT)


MMUN2211LT3G, On Semiconductor

Параметры MMUN2211LT3G

НаименованиеMMUN2211LT3G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул334780
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора Ic
Базовый резистор R1
База-эмиттер резистор R2
R1 / R2
Корпус
Кол-во выводов

Аналоги MMUN2211LT3G, доступные на складе

  • Изображение  MMUN2211LT1G

    MMUN2211LT1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Type:Digital Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:100mA; Voltage, Vce Sat Max:-0.25V; Power Dissipation:246mW; Hfe, Min:35; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:100mA; Current, Ic hFE:5mA; Marking, SMD:A8A; Pin Configuration:1; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом