Терраэлектроника

IRFU3410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, 31A, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont31A
Resistance, Rds On0.039ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateI-PAK
Current, Idm Pulse125A
Power Dissipation110W
Power, Pd110W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V39ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.4°C/W
Time, t Off13ns
Time, t On27ns
Voltage, Vds Max100V


IRFU3410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFU3410PBF

НаименованиеIRFU3410PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул333697
Корпус
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения IRFU3410PBF

IRFU3410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU3410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU3410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
54,50 руб
от 27 шт. 47,50 руб
от 75 шт. 41,00 руб
от 150 шт. 37,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом