Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFSL4115PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

HEXFET Power MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds150V
Continuous Drain Current, Id99A
On Resistance, Rds(on)10.3mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs20V
Package/Case4-TO-262


Параметры IRFSL4115PBF

Наименование IRFSL4115PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 332704
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFSL4115PBF, доступные на складе

  • Изображение  IPP062NE7N3GXKSA1

    IPP062NE7N3GXKSA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology t…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
234,00 руб
от 15 шт. 201,00 руб
от 32 шт. 184,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом