Терраэлектроника

FQA55N10, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, N, TO-3P

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont61A
Resistance, Rds On0.026ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-3P
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse244A
Pins, No. of3
Power Dissipation190W
Power, Pd190W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Voltage, Vds Max100V


Параметры FQA55N10

НаименованиеFQA55N10
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул330435
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом