Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF5803D2TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 40V, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont3.4A
Resistance, Rds On0.112ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse27A
Power, Pd2W
Voltage, Rds Measurement10V
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V


IRF5803D2TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF5803D2TRPBF

Наименование IRF5803D2TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 33016
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Рассеиваемая мощность

Документация для IRF5803D2TRPBF

Изображения IRF5803D2TRPBF

IRF5803D2TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5803D2TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5803D2TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
42,90 руб
от 80 шт. 36,80 руб
от 175 шт. 33,70 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом