Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB12NM50N, STMicroelectronics

OBS Позиция снята с производства

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 500 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.38 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 30 нКл


STB12NM50N, STMicroelectronics

Параметры STB12NM50N

Наименование STB12NM50N
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 328174
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги STB12NM50N, доступные на складе

Изображения STB12NM50N

STB12NM50N, STMicroelectronics STB12NM50N, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом