Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB12NM50N, STMicroelectronics

OBS Позиция снята с производства

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 500 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.38 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 30 нКл


STB12NM50N, STMicroelectronics

Параметры STB12NM50N

Наименование STB12NM50N
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 328174
Vgs для измерения Rds(on)
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги STB12NM50N, доступные на складе

Изображения STB12NM50N

STB12NM50N, STMicroelectronics STB12NM50N, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом