Терраэлектроника

STB12NM50N, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 500 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.38 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 30 нКл


STB12NM50N, ST Microelectronics

Параметры STB12NM50N

НаименованиеSTB12NM50N
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул328174
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения STB12NM50N

STB12NM50N, ST Microelectronics STB12NM50N, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом