Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF8513PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET,DUAL N-CH 30V 8A/11A SO8

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont8A
Resistance, Rds On15.5mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Pins, No. of8
Power, Pd2.4W
Voltage, Vgs th Max2.35V


Параметры IRF8513PBF

Наименование IRF8513PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 327890
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRF8513PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
30,70 руб
от 95 шт. 26,40 руб
от 285 шт. 24,20 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом