Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF8513PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET,DUAL N-CH 30V 8A/11A SO8

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont8A
Resistance, Rds On15.5mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Pins, No. of8
Power, Pd2.4W
Voltage, Vgs th Max2.35V


Параметры IRF8513PBF

НаименованиеIRF8513PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул327890
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов

Аналоги IRF8513PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
34,90 руб
от 39 шт. 30,60 руб
от 95 шт. 26,20 руб
от 285 шт. 24,10 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом