Терраэлектроника

IRF8313PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET: N + N, 30 В, Q1: N, 15.5mΩ / 10V, Q2: N, 15.5mΩ / 10V

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Very Low Gate Charge
  • Dual N-Channel MOSFET

Параметры IRF8313PBF

НаименованиеIRF8313PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул327880
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Корпус
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Тмакс,°C
Rds(on) @ Vgs

Аналоги IRF8313PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF9956TRPBF

    IRF9956TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Dynamic dv/dt RatingFast Switching…

  • Изображение  IRF7313TRPBF

    IRF7313TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Dynamic dv/dt RatingFast Switching…

  • Изображение  IRF9956PBF

    IRF9956PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:3.5A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:16A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F9956; Pin Configuration:c; Pin Format:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Pins, No.…

  • Изображение  IRF8313TRPBF

    IRF8313TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    20V-100V N-Channel Small PowIR MOSFETs, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Low RDS(ON) at 4.5V VGSVery Low…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
31,50 руб
от 44 шт. 27,50 руб
от 128 шт. 23,50 руб
от 285 шт. 21,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом