Терраэлектроника

M27C801-120F1, ST Microelectronics

Энергонезависимая память -

Тип EPROM UV
Интерфейс параллельный
Объём 8 Мбит
Организация 1Mx8
Скорость 120ns
Напряжение 4.5...5.5 В


M27C801-120F1, ST Microelectronics

Параметры M27C801-120F1

НаименованиеM27C801-120F1
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул32775
Организация памяти
Uпит, В
Время доступа, нс
Iпотр/Istnb мА/мкА
Температурный диапазон, °С

Аналоги M27C801-120F1, доступные на складе

  • Изображение  M27C801-100F1

    M27C801-100F1
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Энергонезависимая память - [DIP-32-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 8 Мбит; Организация: 1Mx8; Скорость: 100ns; Напряжение: 4.5...5.5 В

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом