Терраэлектроника

FDC645N, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, N, SUPERSOT-6

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont5.5A
Resistance, Rds On0.026ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.4V
Case StyleSuperSOT-6
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse20A
Marking, SMDFDC645N
Pins, No. of6
Polarity, Uni / Bi DirectionalN
Power Dissipation1.6W
Power, Pd1.6W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2V


Параметры FDC645N

НаименованиеFDC645N
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул326759
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом