Терраэлектроника

IRFB4110GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

100V, 180A, 4,5 mOhms. Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant

Параметры IRFB4110GPBF

НаименованиеIRFB4110GPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул326112
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение затвора
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs

Аналоги IRFB4110GPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB4110PBF

    IRFB4110PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:180A; Resistance, Rds On:0.0045ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4110; Charge, Gate N-channel:150nC; Current, Idm Pulse:670A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом