Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB4110GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

100V, 180A, 4,5 mOhms. Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant

Параметры IRFB4110GPBF

Наименование IRFB4110GPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 326112
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)

Аналоги IRFB4110GPBF, доступные на складе

  • Изображение  IPP12CN10LGXKSA1

    IPP12CN10LGXKSA1
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

  • Изображение  IPP100N08N3GXKSA1

    IPP100N08N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supp…

  • Изображение  IRFB4110PBF

    IRFB4110PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:180A; Resistance, Rds On:0.0045ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4110; Charge, Gate N-channel:150nC; Current, Idm Pulse:670A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом