Терраэлектроника

IRFB3306GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

HEXFET Power MOSFET,60V, 120A, 3.3mOhm

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant

Параметры IRFB3306GPBF

НаименованиеIRFB3306GPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул326102
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение затвора
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs

Аналоги IRFB3306GPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB3306PBF

    IRFB3306PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:160A; Resistance, Rds On:0.0042ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3306; Charge, Gate N-channel:85nC; Current, Idm Pulse:620A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом