Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB3306GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

HEXFET Power MOSFET,60V, 120A, 3.3mOhm

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant

Параметры IRFB3306GPBF

Наименование IRFB3306GPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 326102
Ток стока Id
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB3306GPBF, доступные на складе

  • Изображение  IPB067N08N3GATMA1

    IPB067N08N3GATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N CH, 80V, 80A, TO-263-3

  • Изображение  IPP093N06N3GXKSA1

    IPP093N06N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

  • Изображение  IRFB3306PBF

    IRFB3306PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:160A; Resistance, Rds On:0.0042ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3306; Charge, Gate N-channel:85nC; Current, Idm Pulse:620A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом