Терраэлектроника

IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

power MOSFET, 60V, 120A, maxRDS, 2.4mOhm

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant

IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB3206GPBF

НаименованиеIRFB3206GPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул326091
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение затвора
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs

Аналоги IRFB3206GPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB3206PBF

    IRFB3206PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:210A; Resistance, Rds On:0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3206; Charge, Gate N-channel:120nC; Current, Idm Pulse:840A; Pins, No.…

Изображения IRFB3206GPBF

IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом