Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

power MOSFET, 60V, 120A, maxRDS, 2.4mOhm

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant

IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB3206GPBF

Наименование IRFB3206GPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 326091
Ток стока Id
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB3206GPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB3206PBF

    IRFB3206PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:210A; Resistance, Rds On:0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3206; Charge, Gate N-channel:120nC; Current, Idm Pulse:840A; Pins, No.…

  • Изображение  IPB065N03LGATMA1

    IPB065N03LGATMA1
    INFIN

    20V-30V N-Channel Power MOSFET, With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and Energy Efficiency for discret…

Изображения IRFB3206GPBF

IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB3206GPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом