Терраэлектроника

IRF1010NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont84A
Resistance, Rds On0.011ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse290A
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds55V
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V


IRF1010NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1010NS

НаименованиеIRF1010NS
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул32489

Аналоги IRF1010NS, доступные на складе

  • Изображение  IRF1010NSTRL

    IRF1010NSTRL
    INFIN

    Полевой транзистор. 55V. 84A.

  • Изображение  IRF1010NSTRR

    IRF1010NSTRR
    INFIN

    Полевой транзистор. 55V. 84A.

  • Изображение  IRF1010NSTRLPBF

    IRF1010NSTRLPBF
    INFIN

    POWER MOSFET, 20V-300V, N-CHANNEL

  • Изображение  IRF1010NSPBF

    IRF1010NSPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 84A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:84A; Resistance, Rds On:0.011ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:290A; Power Dissipation:170W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Изображения IRF1010NS

IRF1010NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
115,00 руб
от 12 шт. 100,50 руб
от 35 шт. 86,50 руб
от 75 шт. 79,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом