Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB3006PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N-CH, 60V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont270A
Resistance, Rds On2.1mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Current, Idm Pulse1080A
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V


Параметры IRFB3006PBF

Наименование IRFB3006PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 324226
Ток стока Id
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB3006PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB7534PBF

    IRFB7534PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    StrongIRFET 60V

  • Изображение  IPP072N10N3GXKSA1

    IPP072N10N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

  • Изображение  IPB072N15N3GATMA1

    IPB072N15N3GATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
193,00 руб
от 8 шт. 169,00 руб
от 22 шт. 145,00 руб
от 50 шт. 133,00 руб
Наличие на складе
360 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом