Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB3006PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N-CH, 60V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont270A
Resistance, Rds On2.1mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Current, Idm Pulse1080A
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V


Параметры IRFB3006PBF

Наименование IRFB3006PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 324226
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB3006PBF, доступные на складе

  • Изображение  IPB072N15N3GATMA1

    IPB072N15N3GATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

  • Изображение  IRFB7534PBF

    IRFB7534PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    StrongIRFET 60V

  • Изображение  IPP072N10N3GXKSA1

    IPP072N10N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
167,00 руб
от 21 шт. 143,00 руб
от 45 шт. 131,00 руб
Наличие на складе
338 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом