Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BSM25GD120DN2BOSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3

Transistor TypeIGBT Module
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max25A
Voltage, Vce Sat Max3V
Power Dissipation200W
Case StyleEconopack 2
Termination TypeSolder
Current, Icm Pulsed50A
Power, Pd200W
Temperature, Current80°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of6
Voltage, Vce Sat Typ2.5V
Voltage, Vceo1200V


Параметры BSM25GD120DN2BOSA1

Наименование BSM25GD120DN2BOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 321979
Корпус

Аналоги BSM25GD120DN2BOSA1, доступные на складе

  • Изображение  FP25R12KT3BOSA1

    FP25R12KT3BOSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT Modules up to 1200V, EconoPIM™ 2 1200V three phase PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and NTCВозможности…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
5830,00 руб
от 2 шт. 5350,00 руб
Наличие на складе
35 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом