Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6604, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds30V
Continuous Drain Current, Id12.5A
On Resistance, Rds(on)11.5mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs7V
Package/CaseDirectFET MQ


Параметры IRF6604

Наименование IRF6604
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 32046
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Документация для IRF6604

Аналоги IRF6604, доступные на складе

  • Изображение  IRF6604TR1

    IRF6604TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, MQ; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:11.5mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:7V; Voltage, Vgs th Typ:2.1V; Case Style:MQ; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:2270pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:28nC; Current, Idm Pulse:92A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MQ; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6604; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
28,00 руб
Наличие на складе
102 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом