Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI630G, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont5.9A
Resistance, Rds On0.4ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse24A
Pins, No. of3
Power Dissipation32W
Power, Pd32W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max200V


IRFI630G, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI630G

НаименованиеIRFI630G
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул318803
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
59,00 руб
от 23 шт. 51,50 руб
от 66 шт. 44,30 руб
от 150 шт. 40,70 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом