Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI630G, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont5.9A
Resistance, Rds On0.4ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse24A
Pins, No. of3
Power Dissipation32W
Power, Pd32W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max200V


IRFI630G, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI630G

Наименование IRFI630G
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 318803
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
61,50 руб
от 23 шт. 53,50 руб
от 66 шт. 46,00 руб
от 150 шт. 42,20 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом