Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI630G, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont5.9A
Resistance, Rds On0.4ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse24A
Pins, No. of3
Power Dissipation32W
Power, Pd32W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max200V


IRFI630G, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI630G

Наименование IRFI630G
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 318803
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
52,50 руб
от 66 шт. 45,00 руб
от 150 шт. 41,30 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом