Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

ZXMN10A11G, DIODES ZETEX

OBS Позиция снята с производства

LS: 13 3 6 Транзисторы полевые


Параметры ZXMN10A11G

Наименование ZXMN10A11G
Производитель DIODES ZETEX (DIODES)
Артикул 317426
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Аналоги ZXMN10A11G, доступные на складе

  • Изображение  BSP372NH6327XTSA1

    BSP372NH6327XTSA1
    INFIN

    20V-800V N-Channel Small Signal MOSFET, All Small Signal N-Channel products are suitable for automotive applications (excluding 2N7002). Возможности

  • Изображение  IPB081N06L3GATMA1

    IPB081N06L3GATMA1
    INFIN

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

  • Изображение  BSP373NH6327XTSA1

    BSP373NH6327XTSA1
    INFIN

    20V-800V N-Channel Small Signal MOSFET, All Small Signal N-Channel products are suitable for automotive applications (excluding 2N7002). Возможности

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом