Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFP4668PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, 200V 130A TO-247AC

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont130A
Resistance, Rds On8mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to + 175°C
Current, Idm Pulse520A
Power Dissipation520W
Voltage, Vds Max200V


Параметры IRFP4668PBF

Наименование IRFP4668PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 317102
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFP4668PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFP4227PBF

    IRFP4227PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:240V; Current, Id Cont:65A; Resistance, Rds On:25ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
323,00 руб
от 11 шт. 277,00 руб
от 24 шт. 254,00 руб
Наличие на складе
2378 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом