Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6609TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

ТРАНЗИСТОР МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ 89 ВАТТ


Параметры IRF6609TR1PBF

Наименование IRF6609TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 316606
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs

Документация для IRF6609TR1PBF

Аналоги IRF6609TR1PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF6609TR1

    IRF6609TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, MT; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:150A; Resistance, Rds On:2mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.45V; Case Style:MT; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:6290pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:26nC; Current, Idm Pulse:250A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MT; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6609; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
74,00 руб
от 47 шт. 63,50 руб
от 101 шт. 58,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом