Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6609TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

ТРАНЗИСТОР МОЩНОСТЬ РАССЕИВАНИЯ 89 ВАТТ


Параметры IRF6609TR1PBF

Наименование IRF6609TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 316606
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRF6609TR1PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF6609TR1

    IRF6609TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, MT; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:150A; Resistance, Rds On:2mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.45V; Case Style:MT; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:6290pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:26nC; Current, Idm Pulse:250A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MT; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6609; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
87,00 руб
от 16 шт. 76,00 руб
от 47 шт. 65,00 руб
от 101 шт. 59,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом