Терраэлектроника

IRFP4368PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, 75V 350A TO-247AC

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ75V
Current, Id Cont350A
Resistance, Rds On1.46mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to + 175°C
Current, Idm Pulse1280A
Power Dissipation520W
Voltage, Vds Max75V


Параметры IRFP4368PBF

НаименованиеIRFP4368PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул316536
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFP4368PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFP2907PBF

    IRFP2907PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 75V, 177A, TO-247AC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:209A; Resistance, Rds On:0.0045ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:840A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFP3077PBF

    IRFP3077PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET 75V 210A 3.3 mOhm 160 nC

  • Изображение  IRFP7718PBF

    IRFP7718PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаImproved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggednessFully characterized capacitance a…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
381,00 руб
от 4 шт. 333,00 руб
от 11 шт. 286,00 руб
от 25 шт. 262,00 руб
Наличие на складе
723 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом