Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, P, SOIC

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont9.8A
Resistance, Rds On0.11ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-1.4V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Base Number4463
Charge, Gate P Channel37nC
Pins, No. of8
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.011ohm
Resistance, Rds on @ Vgs = 2.5V0.02ohm
Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V0.014ohm
Voltage, Vds Max20V


SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

Параметры SI4463BDY-T1-E3

Наименование SI4463BDY-T1-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 315143
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Изображения SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc. SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc. SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом