Терраэлектроника

SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, P, SOIC

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont9.8A
Resistance, Rds On0.11ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-1.4V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Base Number4463
Charge, Gate P Channel37nC
Pins, No. of8
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.011ohm
Resistance, Rds on @ Vgs = 2.5V0.02ohm
Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V0.014ohm
Voltage, Vds Max20V


SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

Параметры SI4463BDY-T1-E3

НаименованиеSI4463BDY-T1-E3
ПроизводительVishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул315143
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc. SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc. SI4463BDY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом