Терраэлектроника

IPD60R385CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, TO-252

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ650V
Current, Id Cont9A
Resistance, Rds On0.385ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-252
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C


IPD60R385CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPD60R385CP

НаименованиеIPD60R385CP
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул314687

Аналоги IPD60R385CP, доступные на складе

  • Изображение  STD11NM60ND

    STD11NM60ND
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Iс(25°C): 10 А; Rси(вкл): 0.45 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл; Pрасс: 90 Вт

  • Изображение  STD13NM60N

    STD13NM60N
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.36 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл

Изображения IPD60R385CP

IPD60R385CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPD60R385CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом