Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IPD60R385CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, TO-252

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ650V
Current, Id Cont9A
Resistance, Rds On0.385ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-252
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C


IPD60R385CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPD60R385CP

Наименование IPD60R385CP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 314687
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IPD60R385CP, доступные на складе

  • Изображение  STD13NM60N

    STD13NM60N
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.36 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл

  • Изображение  STD11NM60ND

    STD11NM60ND
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Iс(25°C): 10 А; Rси(вкл): 0.45 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл; Pрасс: 90 Вт

Изображения IPD60R385CP

IPD60R385CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPD60R385CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом