Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IPD50R399CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, TO-252

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vds Typ550V
Current, Id Cont9A
Resistance, Rds On0.399ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-252
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C


IPD50R399CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPD50R399CP

Наименование IPD50R399CP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 314686
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Кол-во выводов
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

Аналоги IPD50R399CP, доступные на складе

  • Изображение  STD11NM50N

    STD11NM50N
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 8.5 А; Rси(вкл): 0.47 Ом; @Uзатв(ном): 4...7 В; Uзатв(макс): 25 В

  • Изображение  STD12NM50N

    STD12NM50N
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.38 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл; Pрасс: 100 Вт

Изображения IPD50R399CP

IPD50R399CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPD50R399CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом