Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IPD50R399CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, TO-252

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vds Typ550V
Current, Id Cont9A
Resistance, Rds On0.399ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-252
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C


IPD50R399CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPD50R399CP

НаименованиеIPD50R399CP
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул314686
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов

Аналоги IPD50R399CP, доступные на складе

  • Изображение  STD12NM50N

    STD12NM50N
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.38 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл; Pрасс: 100 Вт

  • Изображение  STD11NM50N

    STD11NM50N
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 8.5 А; Rси(вкл): 0.47 Ом; @Uзатв(ном): 4...7 В; Uзатв(макс): 25 В

Изображения IPD50R399CP

IPD50R399CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IPD50R399CP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом