Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB4127PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N-CH, 200V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont76A
Resistance, Rds On17mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Current, Idm Pulse300A
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V


Параметры IRFB4127PBF

Наименование IRFB4127PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 313816
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Кол-во выводов

Аналоги IRFB4127PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB4227

    IRFB4227
    INFIN

    HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

  • Изображение  STP80N20M5

    STP80N20M5
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Qзатв: 110 нКл

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
160,00 руб
от 22 шт. 137,00 руб
от 48 шт. 126,00 руб
Наличие на складе
552 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом