Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FQP10N60C, Fairchild Semiconductor Corp.

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ600V
Current, Id Cont9.5A
Resistance, Rds On0.6ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Current, Idm Pulse38A
Length / Height, External4.83mm
Pins, No. of3
Power Dissipation156W
Power, Pd156W
Resistance, Rds on Max0.73ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max600V
Voltage, Vgs th Max4V
Width, External10.67mm


FQP10N60C, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FQP10N60C

Наименование FQP10N60C
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 313767
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги FQP10N60C, доступные на складе

  • Изображение  STP10N62K3

    STP10N62K3
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 620 В; Iс(25°C): 8.4 А; Rси(вкл): 0.75 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 42 нКл

  • Изображение  STP9NM60N

    STP9NM60N
    ST

    MOSFET, N CH, 600V, 6.5A, TO 220

  • Изображение  STP10NK60Z

    STP10NK60Z
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 10 А; Rси(вкл): 0.75 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 50 нКл

Изображения FQP10N60C

FQP10N60C, Fairchild Semiconductor Corp. FQP10N60C, Fairchild Semiconductor Corp. FQP10N60C, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом