Терраэлектроника

PESD5V2S2UT.215, NXP SEMICONDUCTORS

Ограничитель напряжения: 6.8 В, 260 мВт


PESD5V2S2UT.215, NXP SEMICONDUCTORS

Параметры PESD5V2S2UT.215

НаименованиеPESD5V2S2UT.215
ПроизводительNXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул311934
Рассеиваемая мощность
Напряжение ограничения (номинальное)
Количество линий
Ток утечки при рабочем напряжении
Корпус

Аналоги PESD5V2S2UT.215, доступные на складе

  • Изображение  SP0502BAHTG

    SP0502BAHTG
    LTL

    TVS Diode Arrays 2 Channel SMT array

  • Изображение  PESD5V2S2UT

    PESD5V2S2UT
    NXP

    DIODE, TVS, DUAL, SOT-23

  • Изображение  SM05T1G

    SM05T1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    ESD Protection Dual Common Anode Diodes 5.0 V, SOT-23

Изображения PESD5V2S2UT.215

PESD5V2S2UT.215, NXP SEMICONDUCTORS PESD5V2S2UT.215, NXP SEMICONDUCTORS
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
3,90 руб
от 400 шт. 3,40 руб
от 1100 шт. 2,90 руб
от 2400 шт. 2,70 руб
Наличие на складе
2 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом