Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI2312BDS-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, N, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont3.9A
Resistance, Rds On0.047ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ0.85V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Base Number2312
Current, Idm Pulse15A
Marking, SMDM2
Pins, No. of3
Power Dissipation0.75mW
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max0.85V
Voltage, Vgs th Min0.45V


Параметры SI2312BDS-T1-E3

Наименование SI2312BDS-T1-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 309397
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
15,80 руб
от 89 шт. 13,80 руб
от 259 шт. 11,90 руб
от 564 шт. 10,90 руб
Наличие на складе
4689 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом