Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI2312BDS-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, N, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont3.9A
Resistance, Rds On0.047ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ0.85V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Base Number2312
Current, Idm Pulse15A
Marking, SMDM2
Pins, No. of3
Power Dissipation0.75mW
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max0.85V
Voltage, Vgs th Min0.45V


Параметры SI2312BDS-T1-E3

Наименование SI2312BDS-T1-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 309397
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Номинальное напряжение Vgs
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
11,90 руб
от 292 шт. 10,20 руб
от 637 шт. 9,40 руб
Наличие на складе
21448 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом