Терраэлектроника

SI2312BDS-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, N, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont3.9A
Resistance, Rds On0.047ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ0.85V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Base Number2312
Current, Idm Pulse15A
Marking, SMDM2
Pins, No. of3
Power Dissipation0.75mW
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max0.85V
Voltage, Vgs th Min0.45V


Параметры SI2312BDS-T1-E3

НаименованиеSI2312BDS-T1-E3
ПроизводительVishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул309397
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
15,50 руб
от 92 шт. 13,50 руб
от 268 шт. 11,50 руб
от 584 шт. 10,50 руб
Наличие на складе
3857 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом