Терраэлектроника

STGE200NB60S, ST Microelectronics

IGBT транзистор - [ISOTOP]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 150 А; Uкэ.нас: 1.2 В


Параметры STGE200NB60S

НаименованиеSTGE200NB60S
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул309375
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1905,50 руб
от 2 шт. 1633,00 руб
от 5 шт. 1499,50 руб
Наличие на складе
91 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом