Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD127T4G, On Semiconductor

Transistor

Transistor TypeDarlington
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo100V
Continuous Collector Current, Ic8A
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)4V
Power Dissipation, Pd25W


MJD127T4G, On Semiconductor

Параметры MJD127T4G

Наименование MJD127T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 308471
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD127T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD127G

    MJD127G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:-2V; Power Dissipation:1.75W; Hfe, Min:1000; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.5mm; Device Marking:MJD127; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:MJD127; Pins, No.…

  • Изображение  MJD127T4

    MJD127T4
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 4 В; IК(макс): 8 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 4 МГц

Изображения MJD127T4G

MJD127T4G, On Semiconductor MJD127T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом