Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP11NM60, STMicroelectronics

OBS Позиция снята с производства

MOSFET силовой транзистор - Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.45 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл


STP11NM60, STMicroelectronics

Параметры STP11NM60

Наименование STP11NM60
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 30779
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги STP11NM60, доступные на складе

Изображения STP11NM60

STP11NM60, STMicroelectronics STP11NM60, STMicroelectronics STP11NM60, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом